1 GΩ spanningsvolger
Het is algemeen bekend dat FET's een zeer hoge ingangsimpedantie bezitten - dat loopt echt in de giga-ohms. Toch komt men weinig FET-ingangstrappen tegen met een dergelijk extreem hoge ingangsimpedantie. Zoals gewoonlijk ligt dat namelijk praktisch weer iets moeilijker dan teoretisch.
De meest voor de hand liggende manier om een ingangsimpedantie van 1 GΩ te kreëren bij een FET-sourcevolger is het opnemen van een weerstand van 1 GΩ tussen de gate van de FET en massa. Helaas zijn zulke weerstanden zowel schaars als kostbaar, zodat er voor de meeste toepassingen naar een andere oplossing moet worden gezocht.
In bijgaand schema is die oplossing gevonden in de vorm van "bootstrap"-kondensator C2. Het gaat om een gewone sourcevolger met een spanningsversterking van 1-maal, uitgerust met een FET BF256A welke is ingesteld op de zeer lage stroom. Door de bootstrapping zou de ingangsimpedantie van deze impedantietransformator teoretisch 2,2 GΩ moeten bedragen, maar in de praktijk komt die waarde tengevolge van de onvermijdelijke lekstroompjes niet boven ca. 1 GΩ.
De frekwentiekarakteristiek van de schakeling loopt recht van 30 Hz tot 750 kHz (binnen 3 dB); de belasting aan de uitgang mag niet lager zijn dan 100 kΩ. De schakeling is voor uiteenlopende toepassingen bruikbaar, bijvoorbeeld als buffer voor zeer hoogohmige (kondensator-mikrofoons, als oscilloskoop-probe etc.