GaAs-FET power amplifier for 13 cm
1. Design
Der erste Verstärker hat 2 Stufen (MGF-0904, MGF-0905) und hat 4W Ausgangsleistung bei 18dB Verstärkung (Bild 1/3). Der zweite Verstärker hat 3 Stufen (MGF-0904, MGF0905, MGF-0907) und hat 8W Ausgangsleistung mehr als 20dB Verstärkung (Bild 2). Die Schaltung des 3-stufigen ist wie beim 2-stufigen plus die letzte Stufe. Beide sind in Stripline Technik auf G-10 Epoxy Material konstruiert. Es wird kein Teflon verwendet. Die Entscheidung geht auf Untersuchungen von FUJITSU zurück, die festgestellt haben, daß auf 2,3GHz die Verstärkung und die Ausgangsleistung auf Epoxy nur um einige zehntel dB geringer sind als auf Teflon. Die Vorspannungsschaltung ist standardmäßig ausgebildet (Bild 4).
Bild 1: PCB of 4W Amp
Bild 2: PCB of 8W Amp
Bild 3: Circuit of 4W Amplifier
Bild 4: Bias Circuit
2. Meßergebnisse
| Item | 2-Stage | 3-Stage |
|---|---|---|
| Gain/dB | 18 | >20 |
| P ldB/W | 4W @ 9V | 8W @ 10V |
| BW/MHz | 550 | |
| Ids/A | 0.2/0.8 | 0.2/0.8/1.34 |
JE1AAH, Toshihiko Takamizawa.