Für ein 10 GHz Bakenprojekt wurde eine Baugruppe entwickelt, die einerseits eine Frequenzvervierfachung von 2,5 nach 10 GHz vornimmt. Andererseits erfolgt eine Verstärkung des Signals auf eine Ausgangsleistung von 150 mW.
Da einige Amateure die Baugruppe auch für 10 GHz ATV einsetzen, folgt hier eine kurze Beschreibung: das 2,5 GHz Eingangssignal (ca. 10 mW) wird mit T1 (MFG1302) vervierfacht und anschließend im Resonatorfilter 1 die gewünschte Frequenz ausgefiltert. Dann über T2 verstärkt und Resonatorfilter 2 nochmals gefiltert, gelangt das Signal zu den Treiberstufen T3+4 und schließlich zum Endtransistor T5 (MFG1601), wo es auf ca. 150 mW verstärkt wird.
Der Endtransistor leistet normalerweise 200-250 mW Output, jedoch wurde für dieses Konzept nicht mit maximaler Betriebsspannung gearbeitet, um die Verlustleistung im Dauerbetrieb zu reduzieren. Auf der Leiterplatte befindet sich der Spannungsregler sowie Negativspannungswandler für die Gatespannungen. Weiterhin ist ein Richtkoppler zur überwachung der relativen Ausgangsleistung integriert. Aufbauhinweise: Teflonlciterkarte passend für das Wei ßblechgehäuse schneiden. Leiterkarte bohren, 0,7 mm 1 mm für Einkoppelstifte und 7806, 1,1 mm für Sourceanschlüssc der MFG 1302, bzw. 1601. Mittelpunkte der Resonatorfilter anzeichncn und mit Zirkel einen Kreis mit 9,5 mm Radius ziehen. Lage der Bohrungen für SMA-Buchsen und DUKOs festlegen, Abstand Unterseite bis SMABuchsenmitte 11,4 mm - Blechrahmen bohren, Blechrahmen einsetzen und die Winkel verlöten, Platine mit Abstandsklötzchen (Holzleisten 12 mm) einsetzen und verlöten. Einkoppelstifte ein-löten (siehe Zeichnung), Resonatortöpfe einlöten Restliche bedrahtete Bauelemente bestücken, Bestückung SMD-TeiIe, Bestückung der GaAs-FETs.
Abgleich: Betriebsspannung anlegen (9-12 V), Ruheströme der Transistoren einstellen, T1 Uds 4,0 V, T2 Uds 4,2 V, T3 Uds 4,8V, T4 Uds 4,9 V, T5 Uds 4,6 V. Abgleichschraubcn in die Resonatortöpfe eindrehen (Eintauchtiefe ca. 5 mm), geeignetes Powermeter oder Spektrumanalyser am Ausgang anschließen, Eingangssignal anlegen (ca. 5-10 mW), die beiden Resonatortöpfe wechselseitig auf max. Output abgleichen, eine Ausgangsleistung von 150 mW sollte auf jeden Fall erreicht werden, die letzten Milliwatt lassen sich durch Anbringen von Abstimmfähnchen erzielen.
Anzahl | Bezeichnung | Bauform | Wert |
---|---|---|---|
1 | Weißblechgehäuse | 37 x 148 x 30 | |
1 | Teflonleiterkarte | 10 GHz-Bake | |
2 | Resonatortöpfe 3 cm | ||
2 | Koaxbuchse | SMA | |
1 | Spannungsinverter | ICL7660 | |
1 | Festspannungsregler | 7806 | |
1 | TransZorb Diode | P6KE16 | |
1 | Diode | BAT 14 | |
1 | Diode | 1 N4005 | |
1 | Diode | 1N4148 | |
4 | Gaasfet | MGF1302 | |
1 | Gaasfet | MGF1601 | |
1 | Widerstand | 0207 | 1R |
1 | Widerstand | 0207 | 12R |
1 | Widerstand | 0207 | 150R |
1 | Widerstand | 0207 | 470R |
1 | Widerstand | 0207 | 1k |
1 | Widerstand | 0207 | 3,3k |
7 | Keramikkondensator RM 2,5 | EGPU | 1nf |
1 | Keramikkondensator RM 2,5 | EGPU | 100nf |
5 | Tantalelko | 16 Volt | 1 µF |
4 | Tantalelko | 16 Volt | 100 µF |
1 | Kondensator SMD | 0805 | 8,2pf |
3 | Kondensator SMD | 0805 | 1 pf |
5 | Widerstand SMD | 1206 | 47R |
1 | Widerstand SMD | 1206 | 22R |
1 | Widerstand SMD | 1206 | 15R |
4 | Poti SMD | 10k | |
1 | Poti SMD | 1k | |
1 | Ferritperle SMD | ||
2 | DUKO | 1 nf |
Literatur: DUBUS 1/1991 10 GHz-Transverter von DB0NT. Bezugsquellen: Leiterkurzen und Bausätze sind erhältlich bei: EISCH-ELECTRONIC, Abt. Ulrich-Str. 16, 89079 ULM, TEL: 07305/ 23208, FAX: 0 7305/233 06
DL6NCI, Lorenz Oelschlägel