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S3000 - so heißt ein DualGate-GaAs-FET, den Texas Instruments im Sommer 81 für etwa 20 DM pro Stück herausbringen will!
Im Plastik-X-Pack-Gehäuse unterscheidet sich der S3000 äußerlich nur durch seinen roten Punkt von den bekannten Si-DG-MOSFETs BF900 oder BF905. Er ist auch vorgesehen, in UHF-Tunern mit minimalen Schaltungsänderungen den Si-DG-MOSFET in der Vorstufe zu ersetzen und so die Daten zu verbessern. Die Rauschzahl kann durch diesen Austausch um 2 bis 4 dB niedriger, die Verstärkung um 2 bis 4 dB höher, und der Regelbereich bei 800 MHz um 20 dB vergrössert werden.
Dem vorläufigen Datenblatt kann man u.a. folgende Werte entnehmen:
IDSS min. = 20 mA, max. = 80 mA;
Die nächsten Angaben gelten alle für: UG2S = 2 V; UDS = 8 V; ID = 10 mA:
Steilheit: min. = 16 mS; max. = 20 mS;
Eingangskapazität: typ 0,1 pF;
Ausgangskapaz.: typ. 0,4 pF;
Leistungsverstärkung bei 800 MHz: typ. 21 dB
Rauschzahl bei 800 MHz: typ. 1,8 dB
Reizt das nicht zum Experimentieren? Ein GaAs-DG-FET für 20 DM - der muß im 23-cm-Band ausprobiert werden! Die kleine Skizze zeigt die Arbeitspunkt-Einstellung.
DL3MAP / DL3WR.